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    淺談TFT液晶屏發展歷史

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    廣東TFT屏幕

    時間 : 2021-01-20 10:15 瀏覽量 : 81

    上次我們說到TFT液晶屏由來,今天我們接著來講下TFT液晶屏發展歷史,看下我們的TFT顯示屏到底是一個怎么樣的發展歷程。

    TFT液晶屏發展歷史是從20 世紀 80 年代初開始,日本幾家半導體公司在動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)產業中積累的半導體工藝技術應用到 TFT屏幕工藝,并結合 LCD顯示屏技術成功開發了非晶硅與多晶硅 TFT-LCD。1982 年日本三洋公司開發了非晶硅 TFT-LCD,主要用于 3~5 英寸的小型電視。同年精工-愛普生采用準分子激光退火(ELA:Excimer Laser Annealing)方法,制作出多晶硅 TFT顯示屏,并成功開發了 3 英寸級多晶硅 TFT-LCD 產品。1985 年松本提出用多晶硅TFT制作驅動 IC 的概念。多晶硅TFT技術分為高溫多晶硅技術和低溫多晶硅技術,兩種技術的最大區別是成膜溫度不同。制作高溫多晶硅 TFT 時,成膜溫度在 600℃ 以上,因此使用熔點較高的石英基板,而制作低溫多晶硅TFT時,成膜溫度在 450℃ 以下,可以在玻璃基板上成膜,制作出類似非晶硅 TFT-LCD 的顯示器。

    TFT液晶屏發展歷史

      20 世紀 80 年代中期后 Si 系列的TFT液晶屏發展主要分為三個方向,即高溫多晶硅、低溫多晶硅和非晶硅。由于石英基板的尺寸較小,因此高溫多晶硅 TFT-LCD 的尺寸受很大限制,大部分在 2~3 英寸,主要應用于小型且精度較高的投影儀或投影電視等產品。低溫多晶硅TFT的電子遷移率遠大于非晶硅TFT的電子遷移率,所以當初人們普遍認為低溫多晶硅 TFT-LCD 將完全取代非晶硅 TFT-LCD。但是隨著非晶硅 TFT-LCD 工藝不斷突破技術瓶頸,在制造工藝、基板尺寸、成本、品質及產品合格率等方面始終領先低溫多晶硅 TFT-LCD 時,人們逐漸地意識到非晶硅 TFT-LCD 被取代的可能性非常小。盡管 20 世紀 90 年代后期提出玻璃基板上集成驅動 IC 的方案,但是由于產品的應用領域和未來發展方向不清晰,低溫多晶硅 TFT 的產業化推進速度非常緩慢,甚至 20 世紀 90 年代末在低溫多晶硅 TFT-LCD 上投資巨額的一些日本公司,在企業經營方面遇到困難,最終不得不與其他企業合并。直到 21 世紀初隨著手機、PDA 等各種便攜式電子產品的需求增大,低溫多晶硅技術才以其優良的 TFT 電學特性為基礎,逐漸顯露出在集成周邊電路、高分辨率/高精細度以及高開口率等方面的優勢,促成了低溫多晶硅 TFT-LCD 市場的發展。最近幾年低溫多晶硅 TFT 技術比較引人注目的應用領域是有源矩陣式有機發光二極管(Active Matrix Organic Lighting Emitting Diode,AMOLED)。

    TFT液晶屏發展歷史

      盡管非晶硅 TFT 在產業化過程中也遇到了許多困難,但是非晶硅 TFT 以生產工藝簡單、大尺寸基板上量產可行為特點,近 20 年來為 LCD屏幕產業不斷地開辟了新的應用領域。1986 年非晶硅 TFT 技術開始應用于液晶電視產品,但是直到 1990 年產品只局限在 3~5 英寸的小型電視。1991 年夏普公司正式啟動玻璃尺寸為 400mm×320mm 的 TFT-LCD 生產線,從此拉開了液晶面板向大尺寸發展的帷幕,在這條生產線上每張玻璃基板可以切割出 4 片 8.4 英寸或 2 片 10.4 英寸的面板。隨著玻璃基板的尺寸越來越大,TFT 液晶面板的種類越來越多樣化,應用范圍也從小型電視逐漸擴大到筆記本電腦、臺式計算機等電子產品,如表 1.1.1 所示。另一方面,玻璃基板的大型化也提高了液晶面板的生產效率,降低了生產成本,1998 年,液晶顯示器的實際售價跌破 10 萬日元(約合 7000 元人民幣),從此拉開了液晶顯示器市場普及的大幕。

    以上就是我們今天要說的TFT液晶屏發展歷史,有興趣的朋友可以深入的了解一下。


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